2012年度学会発表

2012年度国際学会

[1] Crina Ghemes, Adrian Ghemes, Hidenori Mimura, Takayuki Nakano, Yoku Inoue, “Chlorine Effect on Growth of Long Multiwalled Carbon Nanotube Arrays”, 2012 MRS Fall Meeting, W3.01, Hynes Convention Center, Boston, USA, November 25 - 30, 2012

[2] Akio Nakamura, Yusuke Suzuki, Morihiro Okada, Hidenori Mimura, Takayuki Nakano, Yoku Inoue, “Improvement of Spinnability and Height of MWCNT Arrays by Using Acetone as a Growth Enhancer”, 2012 MRS Fall Meeting, W3.02, Hynes Convention Center, Boston, USA, November 25 - 30, 2012

[3] Katsuhiro Atsumi, Hisashi Kaneko, Takahiro Nishioka, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Investigation of radiation detection which used BGaN”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), MoP-GR-28 , Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012

[4] Yohei Fujita, Yasusi Takano, Yoku Inoue, Masatomo Sumiya, Shunro Fuke, and Takayuki Nakano, “Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), MoP-GR-69 , Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012

[5] Takayuki Nakano, Yohei Fujita, Yoku Inoue, Masatomo Sumiya and Shunro Fuke; “Research of Double Polarities Selective Area Growth of GaN by using MOVPE”, 11th International Conference on Global Research and ducation (inter-academia2012, iA2012), P3, Hotel Ramada Plaza Budapest, Hungary, 26-29 August, 2012

[6] Toru Aoki, Akifumi Koike, Takahiro Nishioka, Hisashi Kaneko, Katsuhiro Atsumi, Takayuki Nakano,”GaN based semiconductor neutron detector”, 2012 SPIE Optics + Photonics, San Diego Convention Center, San Diego, California, USA, 12-16 August, 2012, 8507-13



2012年度国内学会

[1] 渥美勝浩,小杉尚文,三宅亜紀,井上翼,三村秀典,青木徹,中野貴之、“中性子検出半導体に向けたBGaN結晶の作製と検出特性の評価”、第60回応用物理学会春季学術講演会、29a-PA1-2、神奈川工科大学、2013年3月27-30日

[2] 藤田陽平,高野泰,井上翼,中野貴之、“MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセス(II)”, 第60回応用物理学会春季学術講演会、28p-PA1-24、神奈川工科大学、2013年3月27-30日

[3] 渥美勝浩,金子寿,西岡孝浩,井上翼,三村秀典,青木徹,中野貴之、“中性子検出半導体に向けたBGaN の結晶成長と評価”、第73回応用物理学会学術講演会、12p-H10-7、愛媛大学、2012年9月11-14日

[4] 藤田陽平,高野泰,井上翼,角谷正友,福家俊郎,中野貴之、“MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセスの開発”, 第73回応用物理学会学術講演会、12p-H9-4、愛媛大学、2012年9月11-14日

[5] 中村和通,宮坂悠太,中野貴之,三村秀典,井上翼,“CNT間クロスリンク技術によるCNT構造体の機械特性向上”、第73回応用物理学会学術講演会、14a-C2-10、愛媛大学、2012年9月11-14日

[6] 萩坂文登,榎本将規,中野貴之,三村秀典,井上翼、“ドライスピニング法で紡績したMWCNT紡績糸の電気伝導特性”、第73回応用物理学会学術講演会、14a-C2-9、愛媛大学、2012年9月11-14日

[7] Crina Ghemes,Adrian Ghemes,三村秀典,中野貴之,井上翼、“Growth enhancement of MWCNT by chlorine-assisted CVD”、第73回応用物理学会学術講演会、13p-C1-13、愛媛大学、2012年9月11-14日

[8] K. Atsumi, H. Kaneko, T. Nishioka, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, and T. Nakano, “The research on the possibility of the novel neutron detector using BGaN”, 31th Electronic Materials Symposium (EMS31), We2-23, Laforret Suzenji, Izu, July 11-13, 2012

[9] Y. Fujita, Y. Inoue, Y. Takano, M. Sumiya, S. Fuke, and T. Nakano, “Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE” , 31th Electronic Materials Symposium (EMS31), We1-9, Laforret Suzenji, Izu, July 11-13, 2012