久瀬 健太 (M1)

研究テーマ


GaN両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製と紫外SHGデバイスの開発

研究発表


[1] Takayuki Nakano, Kenta Kuze, Yoku Inoue, “The development of double polarity GaN growth for fabrication of the GaN QPM crystal”, SPIE Microtechnologies 2015, 9519-29, 4 - 6 May 2015, Hotel Alimara, Barcelona, Spain

[2] N. Osumi, K. Kuze, Y. Inoue, and T. Nakano, “Examination of the Initial Layer for GaN Double Polarity Selective Area Growth by Using MOVPE”, The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15), LEDp2-2, 22 – 24 April 2015, Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan

[3] 久瀬健太、井上翼、中野貴之、“GaN両極性同時成長におけるV/III比依存性の検討”、第62回応用物理学会春季学術講演会、12p-P16-3、東海大学湘南キャンパス、2015年3月11-14日

[4] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue, and T. Nakano; “The Evaluation of Optical Characteristic of GaN Double Polarity Selective Area Growth by Using MOVPE”, the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14), LEDp6-11, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 - 24, 2014

[5] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue and T. Nakano; “The investigation of optical characteristic of GaN double polarity selective area growth by using MOVPE”, The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), TuGP25, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland

[6] 久瀬健太,藤田陽平,井上翼,中野貴之、” MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討“、第75回応用物理学会秋季学術講演会、18a-C5-5、北海道大学、2014年9月17-20日

[7] 久瀬健太, 藤田陽平, 井上翼, 中野貴之, ” MOVPE 法を用いた両極性同時成長GaN の極性界面近傍における光学特性評価”, 第6 回窒化物半導体結晶成長講演会, Fr-11, 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日

[8] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue and T. Nakano; “The optical characteristic evaluation of the Ga and N polarity interface at double polarity selective area growth GaN by MOVPE”, 33th Electronic Materials Symposium (EMS33), Th3-8, Laforret Suzenji, Izu, July 9-11, 2014

連絡先

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静岡大学大学院工学系研究科電子物質科学専攻中野研究室