上山 浩平 (M1)

研究テーマ


BGaNによる中性子検出半導体の作製

研究発表


[1] K.Ueyama, K. Atsumi, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki, and T. Nakano; “Examination of on the Influence of Boron Flow Rate and Substrate in BGaN Epitaxial Growth”, the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14), LEDp6-1, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 - 24, 2014

[2] K. Ueyama, K. Atsumi, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki and T. Nakano, “Improved BGaN epitaxial growth for the neutron detection device”, The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), WeGP11, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland

[3] 上山浩平,渥美勝浩,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之,” BGaN成長における基板off角度依存性”、 、第3回結晶工学未来塾、No.07、学習院創立百周年記念会館、2014年11月13日

[4] 上山浩平,渥美勝浩,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之,” BGaN成長における基板依存性の検討”、第75回応用物理学会秋季学術講演会、17a-C5-2、北海道大学、2014年9月17-20日

[5] 上山浩平, 渥美勝浩, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, “BGaN 成長における基板および原料供給量の依存性評価”, 第6 回窒化物半導体結晶成長講演会, St-7, 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日

[6] K. Ueyama , K. Atsumi , H. Mimura , Y. Inoue , T. Aoki and T. Nakano, “Improvement of BGaN epitaxial growth with controlled GaN substrate orientation”, 33th Electronic Materials Symposium (EMS33), Th3-9, Laforret Suzenji, Izu, July 9-11, 2014




連絡先

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静岡大学大学院工学系研究科電子物質科学専攻中野研究室